FET switching transistor

夜游子

通常用transistor作switching， 我们需consider current rating & h rating，
如用FET作，那需consider什么criteria?

谢谢。

canonforest

我觉得是 GATE VOLTAGE CONTROL，因为FET 是VOLTOAGE CONTROL DEVICE，当VOLTAGE 越大，DEPLETION REGION 越大，CURRENT 就小。
如有不对，请多多指教。

fritlizt

原帖由 canonforest 于 9-1-2007 05:19 PM 发表
我觉得是 GATE VOLTAGE CONTROL，因为FET 是VOLTOAGE CONTROL DEVICE，当VOLTAGE 越大，DEPLETION REGION 越大，CURRENT 就小。
如有不对，请多多指教。

据我所知是看Vgs. gate-source voltage。
design的时候看看datasheet.每一个fet都有不一样的rating.
以前有design过mosfet 的circuit.
jfet是否一样就不知道了
有错请纠正。

夜游子

原帖由 fritlizt 于 10-1-2007 02:13 AM 发表


据我所知是看Vgs. gate-source voltage。
design的时候看看datasheet.每一个fet都有不一样的rating.
以前有design过mosfet 的circuit.
jfet是否一样就不知道了
有错请纠正。

我使用mosfet。当它on时，应该short to ground.但我的case是voltage drop from 5V to 2.4V.

pic

canonforest , fritlizt 你们都没说错。

其实，首先要知道搂主要Switch的是什么东东。

在不了解楼主的应用为前提， 我们只可以针对FET做以下的假设：
1。小信号的Switching， 如Analog 信号的Switching（开关）。
a）如是Switching ，不是放大（amplifier），我们要的是全开（Fully turn On），就是零电阻，  和全关（Fully turn Off）就是无限高电阻。
b）Gate voltage很重要， 可能要+20V， 或-20V才可以做到。

2。大信号的Switching， 如大电流的Motor，灯的负载。
不会考虑用FET， 我们会建议楼主使用FET经改良后的MOSFET。

好了， 简单说一说MOSFET， 要考虑的是：
Vdss，Id电流， Rds（on）， Vgs， Switching的速度， 还有散热的问题。

Vgs是Gate Voltage，有些MOSFET / FET需要高压（+20V）， 所以又有MOSFET driver 的IC。

这里介绍一枚简单实用， 我用过的MOSFET，只要5V（TTL logic gate voltage）就可以了。

IRLZ34 （TO-220）
Vdss= 55V
Id= 27A
Rds（on）=0.035ohm
Vgs= 5V， 也就是说， MCU可以直接驱动它。

注意它的编号是IRL， 一般是IRF， IRL是Logic level Gate Drive 的版本。
去找它的DataSheet来看吧。。。

夜游子

其实我是用p-channel mosfet 来做switching. Gate pin 是连接到mcu 3.3V I/O pin;Drain pin to ground; Source pin to 5V load. 当mcu输出 0V low, mosfet ON, load 应该pull to ground (Vds=0).但我的case是Vds = 2.2V. 可能是用错part吧。
版主可解释
1) Vdss 是refer to 什么？
2）Id 是指 mosfet ON时，它可承所得current?
3) Rds（on) 会影响 switching speed? 越low,switching speed越fast?
4）Gate voltage 不是Vgs?

pic

楼主， 其实在一楼你就讲清楚应用和问题， 你觉得那会不会更好呢？
还有， FET 和MOSFET是两种不同的零件， 你要问的是MOSFET， 但主题是FET？可不可以改一下？

其实我是用p-channel mosfet 来做switching. Gate pin 是连接到mcu 3.3V I/O pin;Drain pin to ground; Source pin to 5V load. 当mcu输出 0V low, mosfet ON, load 应该pull to ground (Vds=0).但我的case是Vds = 2.2V. 可能是用错part吧。

MCU 3.3V?你用什么Part的MOSFET？有先查DataSheet看可不可行吗？
P-MOSFET-Drain pin to ground; Source pin to 5V load？好像不对喔。。。
可以放电路吗？

P-MOSFET，你需要的是Hide-Side driver。


以下以的回覆是以IRLZ34 为标准：

1) Vdss 是refer to 什么？

Vdss = Drain to Source Breakdown Voltage

2）Id 是指 mosfet ON时，它可承所得current?

是的，Id是Continuous　Drain Currrent
Id=27A， 是在条件：Tc=25degCs，VGS @10V
Id=19A， 是在条件：Tc=100degCs，VGS @10V

3) Rds（on) 会影响 switching speed? 越low,switching speed越fast?

也不是，　Rds(on)越低，损耗越小，那发出的热能也越小。
请问你要Switch 什么？

4）Gate voltage 不是Vgs?

Vgs = Gate to Source voltage