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发表于 12-5-2005 04:16 PM
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发表于 13-5-2005 08:09 AM
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mayilefy 于 12-5-2005 04:16 PM 说 :
您是說,揚聲器的分音器嗎?
对! 就是扬声器的分音器. |
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发表于 14-5-2005 05:32 PM
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发表于 15-5-2005 08:18 AM
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发表于 16-5-2005 06:05 AM
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楼主 |
发表于 17-5-2005 08:42 AM
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发表于 18-5-2005 02:41 AM
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嚴重抗議在我們螞蟻頭頭的帖留下那麼遜的論言!!!!!
那麼多破綻...
嘿嘿,要還招...由我憑螞仔二號就足夠應付了!
這是因為AMP的Transister起了resonance,瞬間的超高頻大能量把高音單元毀壞掉,而不是分音器之過.
而電阻的做用是平衡單元與單元之間的能量差距.如果高低單元的靈敏度是一樣的話,則沒有串連電阻的需要.
以上的圖只是說明最簡單sencond-order的分音器結構.
ELNA CERAFINE不是BIPOLAR的電解電容,再論電解電容先天不足的電氣結構,如此應該沒人將它用在喇叭分音器上吧?!!
而WIMA也是用在功放的偶合電路較為常見,喇叭就奇怪沒甚麼
理論上,電容本身並不會消耗能量.所以不會發熱.
事實上,電容耗損的能量還是有的,但不是louiektc壇主所說的"热能质变".
而是交流電在電容極性+/-反轉時的零交差失真.
解決辦法是以兩粒電容之間放上一組電壓差來代替單純一粒電容.提高電容在電壓工作點就降低了交差失真.
某些JBL鑑聽器和gryphon 喇叭就用上了此法.
更好的方法就是不用電容.
例如就以louiektc那張圖的C1,改去電阻就等於first-order的high pass分音器了囉!!
只是浪費了較多功放的能量..不環保哀~
而並聯電容,的確能夠減低電感和內阻,此法理論上是絕妙的.
MIT MULTICAP和INFINITICAP就是以並聯多組電容來組成的極品電容.
但實踐在音響上,卻沒有絕對的...
好的不等於一定好,壞的通常也不會有奇蹟.
louiektc壇主,下一招吧~二號還有餘力 |
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发表于 18-5-2005 12:10 PM
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发表于 18-5-2005 12:14 PM
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mayilefy 于 16-5-2005 06:05 AM 说 :
..只是找到了這個連接..突然覺得自己好像甚麼也不用補充了^^|||
....
咳咳..不错不错.遜言一番后终于補足了,不然每一次骚不到痒处,真不爽...继续加油!
這是因為AMP的Transister起了resonance,瞬間的超高頻大能量把高音單元毀壞掉,而不是分音器之過.
别那么绝对好不好..以下是几个可能造成高音單元容易烧毁的原因..
1. 您所说的瞬間的超高頻大能量.劈一声,马上烧毁.
2. 一般高音喇叭线圈细小,实际能够承受的功率不大.功率大的高音喇叭灵敏度不太好.太为难了.
3. 产家用了劣质的铜线,增加了热能消耗.长时间运作环境下开始衰退.
4. 分音器劣质或已经者衰退的电容有直流遗漏的现象.交流中的直流会造成加热或直接压抑高音喇叭的运做范围.
5. 给你想一些...
而電阻的做用是平衡單元與單元之間的能量差距.如果高低單元的靈敏度是一樣的話,則沒有串連電阻的需要.
再三思..我不懂.除了看到全音域的喇叭没有串联电阻外,几乎每一个分音喇叭的分音器都有如此的设计.如果要实现没有无源分音器的设备.那可以考虑有源分音器了(ACTIVE CROSS OVER)或者数码分音器...
那有几个喇叭就要装几个功放机了.$$$$$$
以上的圖只是說明最簡單sencond-order的分音器結構.
它也是最普及的一种.
ELNA CERAFINE不是BIPOLAR的電解電容,再論電解電容先天不足的電氣結構,如此應該沒人將它用在喇叭分音器上吧?!!
而WIMA也是用在功放的偶合電路較為常見,喇叭就奇怪沒甚麼
您以下都替我回答了:真没趣:sp:
而並聯電容,的確能夠減低電感和內阻,此法理論上是絕妙的.
MIT MULTICAP和INFINITICAP就是以並聯多組電容來組成的極品電容.
但實踐在音響上,卻沒有絕對的...
好的不等於一定好,壞的通常也不會有奇蹟.
好熟悉的一句话...
我没说ELNA CERAFINE是BIPOLAR啊.ELNA CERAFINE是属于有极式(POLAR)的电容.极性接反了可能会发脾气的那种.
理論上,電容本身並不會消耗能量.所以不會發熱.
事實上,電容耗損的能量還是有的,但不是louiektc壇主所說的"热能质变".
好吧,就怪我不懂翻译好了.
热能质变英语是"THERMAL INEQUILIBRIUM".在这里的意思是当电容处在高频率环境下,电容两端的电荷跟不上频率的变化,而造成只有一部分的电极(ELECTRODE)被转换.来不及转换的电极部分就含有反相的电位差而引发一层饱和反相网(SATURATION LAYER).饱和反相网的效果就是把输入的能量转换成热能量了.频率越高饱和反相网就越大,就越多高频被'弹'回来.
而是交流電在電容極性+/-反轉時的零交差失真.
解決辦法是以兩粒電容之間放上一組電壓差來代替單純一粒電容.提高電容在電壓工作點就降低了交差失真.
交流電在電容極性+/-反轉時的零交差失真只会再类似半导体的氧化硅(Metal-Oxide-Silicon,Metal-Insulator-Metal,Polysilicon-Insulator-Polysilicon)的电容才会出现.原因是MOS电容在没有偏压时在绝缘体和硅(O-S)的界面会有一层载子空乏层(DEPLETION LAYER).空乏层的自激偏压被称为平带电压(FLATBAND VOLTAGE).当两端的电压增加到另一端开始有电荷层出现时,此点压称为启动电压(THRESHOLD VOLTAGE).不过非一般半导体的0.7EV...
交流電在没有偏压的状况下经过此类电容时,在零交差地带会有截停的现象.如果电容两断的偏压高过启动电压.零交差失真就改善了(好像BITSTREAM..那样).不过,热能质变还是存在的.
这种状况也可能在旧有的金属-电解质(MIM)的电容中发生.不过以目前的生产技术和材料应用做了改进后.零交岔失真已经几乎完全被解决了.我不懂它们的喇叭用何等的电容,看来很可能是类似氧化硅的吧.
有误之处请多多指教. |
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发表于 18-5-2005 02:49 PM
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mayilefy 于 18-5-2005 12:10 PM 说 :
二號好好加油喔~~
L壇主已經來了,我不好再逗留太久了..
全部交給你處理...就降~~~
881
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居然被老大跟踪... |
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发表于 19-5-2005 08:45 AM
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发表于 19-5-2005 08:48 AM
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哦
這帖更簡單.
借力打力就行了.
louiektc 于 18-5-2005 12:14 说 :
别那么绝对好不好..以下是几个可能造成高音單元容易烧毁的原因..
1. 您所说的瞬間的超高頻大能量.劈一声,马上烧毁.
2. 一般高音喇叭线圈细小,实际能够承受的功率不大.功率大的高音喇叭灵敏度不太好.太为难了.
3. 产家用了劣质的铜线,增加了热能消耗.长时间运作环境下开始衰退.
4. 分音器劣质或已经者衰退的电容有直流遗漏的现象.交流中的直流会造成加热或直接压抑高音喇叭的运做范围.
5. 给你想一些...
有說得很絕對嗎?
偶是對題剖解而已捏
5=設計高通滤波网络时没有把高音单元对高能量功放器所具有的负载能力考虑在内.
louiektc 于 18-5-2005 12:14 说 :
再三思..我不懂.除了看到全音域的喇叭没有串联电阻外,几乎每一个分音喇叭的分音器都有如此的设计.如果要实现没有无源分音器的设备.那可以考虑有源分音器了(ACTIVE CROSS OVER)或者数码分音器...
那有几个喇叭就要装几个功放机了.$$$$$$
嗯...小弟也不懂...
不過,現實中不平等的情況很多,被動式的平衡的確無奈...
但是,完美的配合還是存在的(您也說"幾乎",先不說我們頂頭老大的自制揚聲器系統.
隨便在網路一撈,Ultrasound Alias Light loudspeaker......這甚麼沒聽過的東東就是例子了..
順便給你接一招,電容值數用小一點能不能取代電阻?
louiektc 于 18-5-2005 12:14 说 :
它也是最普及的一种.
哎喲~~偶打錯字了捏>__<|||||
好吧..偶以後會盡量給您多點話講...反正我是做慣小的
louiektc 于 18-5-2005 12:14 说 :
好的不等於一定好,壞的通常也不會有奇蹟.
好熟悉的一句话...
原版好像是:壞的一定壞,好的也好不到那裡去.
挺偏激呢~~
louiektc 于 18-5-2005 12:14 说 :
我没说ELNA CERAFINE是BIPOLAR啊.ELNA CERAFINE是属于有极式(POLAR)的电容.极性接反了可能会发脾气的那种.
就是啊!!那你怎麼把它放去AC電路?
louiektc 于 18-5-2005 12:14 说 :
好吧,就怪我不懂翻译好了.
热能质变英语是"THERMAL INEQUILIBRIUM".在这里的意思是当电容处在高频率环境下,电容两端的电荷跟不上频率的变化,而造成只有一部分的电极(ELECTRODE) 被转换.来不及转换的电极部分就含有反相的电位差而引发一层饱和反相网(SATURATION LAYER).饱和反相网的效果就是把输入的能量转换成热能量了.频率越高饱和反相网就越大,就越多高频被'弹'回来.
這段等下借來用用...
louiektc 于 18-5-2005 12:14 说 :
交流電在電容極性+/-反轉時的零交差失真只会再类似半导体的氧化硅(Metal-Oxide-Silicon,Metal-Insulator-Metal, Polysilicon-Insulator-Polysilicon)的电容才会出现.原因是MOS电容在没有偏压时在绝缘体和硅(O-S)的界面会有一层载子空乏层(DEPLETION LAYER).空乏层的自激偏压被称为平带电压(FLATBAND VOLTAGE).当两端的电压增加到另一端开始有电荷层出现时,此点压称为启动电压(THRESHOLD VOLTAGE).不过非一般半导体的0.7EV...
交流電在没有偏压的状况下经过此类电容时,在零交差地带会有截停的现象.如果电容两断的偏压高过启动电压.零交差失真就改善了(好像BITSTREAM..那样).不过,热能质变还是存在的.
这种状况也可能在旧有的金属-电解质(MIM)的电容中发生.不过以目前的生产技术和材料应用做了改进后.零交岔失真已经几乎完全被解决了.我不懂它们的喇叭用何等的电容,看来很可能是类似氧化硅的吧.
這回搞複雜了..
把以下"热能质变"的解釋改去形容"零交差失真"似乎更貼切呢..
热能质变英语是"THERMAL INEQUILIBRIUM".在这里的意思是当电容处在高频率环境下,电容两端的电荷跟不上频率的变化,而造成只有一部分的电极(ELECTRODE) 被转换.来不及转换的电极部分就含有反相的电位差而引发一层饱和反相网(SATURATION LAYER).饱和反相网的效果就是把输入的能量转换成热能量了.频率越高饱和反相网就越大,就越多高频被'弹'回来.
我昨天的意思是加上一組直流就能夠降低AC高頻的轉換電壓差囉..昨天沒漏打"直流",抱歉.
不過,用氧化硅,或甚麼矽做電容的絕緣體..則小弟眼淺沒有見識過...那些喇叭還是用像solen那種薄膜镀鋁镀銅镀銀但沒镀金的普通電容.....
呃.........
有好就有壞,這招不普遍必因為存在著另一方面的問題..這個小弟就很難想通了...
還请多多指教.
[size=-1]NO MORE CRY-極道鮮師2主題曲
[ Last edited by 螞仔二號 on 19-5-2005 at 08:53 AM ] |
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发表于 19-5-2005 03:04 PM
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